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Dr. Reydezel Torres Torres  

Investigador Titular "C"

INAOE

Investigador Nacional (SNi-II)

Correo Electrónico:

Oficina: 2102

 

Información Curricular:

Doctorado: INAOE en 2003.

Título de Tesis: “Small-Signal Modeling of Bulk MOSFETs for High-Frequency Applications.”

 

Maestría: INAOE en 2000.

Título de Tesis: “Método alternativo para la extracción de la longitud efectiva de canal y la resistencia serie de un TMOS LDD.”

 

Licenciatura: Instituto Tecnológico de Querétaro en 1998.

 

Líneas de investigación:

 

  • Dispositivos de microondas, integridad de señales, interconexiones de alta velocidad, circuitos impresos, mediciones eléctricas de alta frecuencia.   

 

Proyectos:

  • Enero 2014 (Isola Group):“Characterization, Modeling and Optimization of Dielectric Laminates for High-Speed PCBs.”

  • Enero 2012 – Diciembre 2014 (CONACyT: Ciencia Básica):“Análisis del límite tecnológico impuesto por la rugosidad y la anisotropía de substratos dieléctricos en las interconexiones de microondas.”

  • Enero – Diciembre 2012 (Consolidación SNI):“Metodología para el análisis de las pérdidas en interconexiones utilizadas en sistemas electrónicos de alta velocidad.

  • Enero 2009 – Diciembre 2011 (Intel):“Methodologies for Signal Integrity Analysis in Complex Chip-to-Chip Interconnection Channels.”

  • Enero 2007 – Diciembre 2008 (Intel): “Addressing silicon innovation through characterization, modeling, analysis, and design of compact space and energy-efficient chip-to-chip signaling, on-die RFI scanning, and self-calibrated on-die temperature solutions for computing platforms”–HIGH SPEED SIGNALING SECTION.

 

Tesis dirigidas recientemente:


Doctorado:

Estudiante: Fabián Zarate Rincón .

Título de la tesis: Estudio del Transistor MOS para Aplicaciones en Circuitos de RF.

Fecha de examen: 26 de Agosto de 2016.

 

Estudiante: Miguel Ángel Tlaxcalteco Matus.

Título de la tesis: Modelado y caracterización de interconexiones para señalización de alta velocidad utilizando circuitos equivalentes.

Fecha de examen: 27 de Febrero de 2015.

 

Estudiante: Svetlana Carsof Sejas García.

Título de la tesis: Caracterización y modelado de componentes pasivos utilizando técnicas de microondas.

Fecha de examen: 30 de Junio de 2014.

 

Maestría:

Estudiante: José Valdés Rayón.

Título de la tesis: Modelado, medición y caracterización de inductores integrados.

Fecha de examen: 26 de Febrero0de 2016.

 

Estudiante: Héctor Cuchillo Sánchez.

Título de la tesis: Caracterización del efecto de la inyección de portadores calientes en los parámetros de pequeña señal y en la frecuencia de corte de un MOSFET de RF.

Fecha de examen: 10 de Diciembre de 2015.

 

Estudiante: Juan Carlos García Santos.

Título de la tesis: Caracterización de líneas de transmisión homogéneas a partir de sus propiedades de propagación.

Fecha de examen: 28 de septiembre de 2015.

 

Estudiante: Daniel García García.

Título de la tesis: Análisis del impacto por degradación de portadores  calientes en los parámetros de modelo de pequeña señal en n-MOSFET nanométrico.

Fecha de examen: 16 de Enero de 2015.

 

Estudiante: Gabriela Méndez Jerónimo.

Título de la tesis: Identificación y modelado de resonancias en la transmisión de señales en substratos anisotrópicos.

Fecha de examen: 4 de Julio de 2014.

 

Licenciatura:

Nicthe Nataly Jiménez Castro Martínez, “Desarrollo de una herramienta para la identificación de interconexiones en circuitos impresos,” Universidad Politécnica de Puebla, Diciembre de 2013. 

   

Publicaciones recientes: 

 

  • H. Cuchillo-Sánchez, F. Zárate-Rincón, and R. Torres-Torres, “Alternative determination of the intrinsic cut-off frequency applied to a degraded MOSFET,” IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Vol. 26, 2016.

  • A. Ortiz-Conde, A. Sucre-González, R. Torres-Torres, J. Molina, R. S. Murphy-Arteaga, and F.J. García-Sánchez, “Conductance-to-current-ratio-based parameter extraction in MOS leakage current models,” IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 63, 2016.

  • D.M. Cortés-Hernández, R. Valderrama-B., R. Torres-Torres, and J. Molina, “Modeling a MIM capacitor including series resistance and inductance for characterizing nanometer high-K dielectric films,” Microwave and Optical Technology Letters. Vol. 58, No. 11, p. 2599–2602, Nov. 2016.

  • A. Sucre-González, F. Zárate-Rincón, A. Ortiz-Conde, R. Torres-Torres, F.J. García-Sánchez, J. Muci, and R. S. Murphy-Arteaga, “A DC method to extract mobility degradation and series resistance of multifinger microwave MOSFETs,” IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 63, No. 5, pp. 1821–1826, May 2016.

  • D.M. Cortés-Hernández, R. Torres-Torres, M. Linares-Aranda, and O. González-Díaz, “Piecewise physical modeling of series resistance and inductance of on-chip interconnects,” Solid-State Electronics, Vol. 120, No. 1, pp. 1–5, Jun. 2016.

  • F. Zárate-Rincón, D. García-García, V. H. Vega-González, R. Torres-Torres, and R. S. Murphy-Arteaga, “Characterization of Hot-Carrier-Induced RF-MOSFET Degradation at Different Bulk Biasing Conditions from S-Parameters,” IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. 64, No. 1, pp. 125–132, Jan. 2016.


Última modificación :
31-08-2016 a las 10:10 por Laura Toxqui Olmos

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