Grupo de Investigación: Microelectrónica
Introducción.
Es el Grupo más antiguo de la Coordinación y cuenta con El Laboratorio de Microelectrónica, el cual es el centro de actividades fundamental de este grupo. Este laboratorio cuenta con las facilidades y equipos necesarios para la fabricación de circuitos integrados y dispositivos semiconductores a partir de obleas de silicio. A la fecha se cuenta con un proceso de fabricación de circuitos integrados con la tecnología CMOS.
Actualmente, el Grupo de Microelectrónica se ha dado a la tarea de establecer el Laboratorio Nacional de Nanoelectrónica (LNN), el cual consiste de dos fases: la primera (actualmente en instalación y puesta a punto) orientada a realizar investigación, desarrollo tecnológico y generación de prototipos de dispositivos nanoelectrónicos, y la segunda etapa (actualmente en construcción del edificio) se orientará a la producción de este tipo de dispositivos y sistemas.
Investigadores del Grupo.
El Grupo de Microelectrónica cuenta actualmente con 16 investigadores
Aceves Mijares, Mariano
Calleja Arriaga, Wilfrido
De la Hidalga Wade, Francisco Javier
Gutiérrez Domínguez, Edmundo
Halevi Sar, Peter
Kosarev, Andrey
Linares Aranda, Mónico
Malik, Alexander
Murphy Arteaga, Roberto Stack
Reyes Betanzo, Claudia
Rosales Quintero, Pedro
Torres Jácome, Alfonso
Yu, Zhenrui
Zúñiga Islas, Carlos
Zurita Sánchez, Jorge Roberto
Con cierta regularidad, el Grupo tiene investigadores en estancias cortas. Actualmente los investigadores en este tipo de estancia son:
Kiebach, Ragnar
Molina Reyes, Joel
Ramírez Salinas, Marco Antonio
Reyes Ayona, Edgar
Líneas de Investigación del Grupo.
El Grupo de Microelectrónica es un grupo altamente consolidado en varias líneas de investigación y que al mismo tiempo incursiona en líneas emergentes del campo. A continuación, se listan y describen brevemente algunas de las líneas de investigación del grupo:
Fabricación y Caracterización de Sensores con Base en el Silicio. Los dispositivos son diseñados para ser compatibles con el proceso de fabricación de circuitos integrados CMOS; la tendencia es a desarrollar una tecnología nacional de fabricación de sistemas integrados.
Materiales Nanoestructurados. La incorporación de materiales nanoestructurados compatibles con la tecnología del silicio es la otra línea de investigación; esta actividad es de gran impacto y actualidad; para la obtención de estos nuevos materiales se usa un método de depósito químico en la fase de vapor, asistido por plasma a bajas frecuencias.
MEMS. Se realizan diseños de este tipo de dispositivos para diversas aplicaciones. Se cuenta con un Laboratorio de Innovación en MEMS donde se llevan a cabo tareas de diseño asistido por computadora para su posterior fabricación.
Crioelectrónica. Se realiza investigación sobre los efectos que la baja temperatura tiene sobre los mecanismos de conducción de dispositivos semiconductores, tendientes a la mejora de los modelos existentes.
Dispositivos optoelectrónicos. La caracterización de las propiedades ópticas de los materiales y dispositivos semiconductores compatibles con la tecnología de silicio se realiza para su integración al proceso de fabricación CMOS. Con la finalidad de desarrollar óptica integrada y sistemas optoelectrónicos.
Estudiantes doctorales:
Huerta Chua Jesús
Monfil Leyva Karím
Rodríguez Mora Ramiro Rogelio
Torres Ríos Emmanuel
Díaz Carvajal Moisés Gustavo
Delgadillo Checa Nery
López Delgadillo Edgar
López Estopier Rosa Elvia
Ruiz Hernández Darío
Cervantes Pérez Juan Carlos
Conde Sánchez José Rubén
Dirección: Luis Enrique Erro # 1, Tonantzintla, Puebla, México C.P. 72840 | Teléfono: (222) 247. 27.42 | Contacto: mcampos@inaoep.mx | Fax: 247.27.42
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