Laboratorio de Microelectrónica

 

El actual Laboratorio de Microelectrónica del INAOE comenzó su construcción en 1972 e inicio actividades en 1974. A partir de entonces se han desarrollado tecnologías de fabricación de Circuitos Integrados (CIs) primero con tecnología Bipolar, después NMOS y finalmente CMOS. Es, a la fecha, el único laboratorio en el país con capacidad de fabricar CIs a partir de obleas de silicio. La mínima dimensión que puede ser resuelta en este laboratorio es de 10 micras. El desarrollo y consolidación de la Coordinación de Electrónica, ha resultado en un incremento tanto en el equipo de fabricación como de caracterización de dispositivos y CIs.

En el Laboratorio de microelectrónica se ha desarrollado un proceso de fabricación CMOS de Circuitos Integrados (CIs) con geometría mínima de 10 micras. Con esta tecnología se han diseñado y fabricado CIs digitales de propósitos específicos. La inclusión de materiales compatibles con esta tecnología ha resultados en la obtención de sensores y transductores novedosos que a los que se ha integrado la electrónica necesaria para su operación y lectura de señales eléctricas de salida en un solo CI. Este proceso es también usado para entrenar a los estudiantes que laboran en este grupo investigación, con lo que adquieren experiencia tanto en el manejo del equipo de fabricación como en la física y tecnología involucrada en los procesos de fabricación de dispositivos y CIs. Actualmente se encuentra bajo desarrollo un proceso de fabricación BiCMOS con geometría mínima de 0.8 mm.

Investigador responsable: Dr. Pedro Rosales Quintero

 

 

 

 

.

 

 

 

 

 


Última modificación :
15-01-2015 a las 09:27 por Laura Toxqui Olmos

Dirección: Luis Enrique Erro # 1, Tonantzintla, Puebla, México C.P. 72840 | Teléfono: (222) 247. 27.42 | Contacto: mcampos@inaoep.mx | Fax: 247.27.42