Sensores y Dispositivos Electrónicos

El INAOE cuenta con más de 30 años de experiencia en el diseño, fabricación, caracterización y optimización de sensores y dispositivos electrónicos para aplicaciones específicas al área de microelectrónica. Con el Laboratorio de Microelectrónica, se han generado recursos humanos capaces de proveer de estas soluciones tecnológicas que involucran áreas multidisciplinarias como Astrofísica, Óptica, Medicina, Robótica, CAD, Química, etc. Con la infraestructura presente actualmente en LNN, se podrá hacer uso de una tecnología de fabricación de sensores y dispositivos electrónicos más adecuada para la escala nanométrica con las ventajas inherentes de mayor densidad de integración, mayor capacidad de cómputo, mayor velocidad de respuesta, menor consumo de potencia, y principalmente, mayor capacidad de controlar las propiedades físicas de los materiales empleados a escalas más pequeñas. Algunos de los desarrollos principales dentro del grupo de Microelectrónica tienen relación con sensores de estado sólido basados en silicio (detectores y emisores) así como con los materiales y dispositivos electrónicos fabricados en base a la tecnología CMOS, éstos se presentan a continuación:

Sensores de Estado Sólido

• Emisores y detectores de radiación IR utilizando materiales nanoestructurados y estructuras de bolómetros
• Emisores y detectores de radiación óptica de 700nm–400nm utilizando materiales dieléctricos y estructuras de capacitores
• Emisores y detectores de radiación UV utilizando tecnología basada en silicio para detección hasta 200nm
• Sensores de presión y de aceleración basados en estructuras MEMS
• Sensores de flujo de masa utilizando estructuras resistivas tipo Kelvin basadas en Pt
• Sensores de radiación térmica utilizando estructuras de transistor basadas en silicio
• Sensores químicos de estado sólido utilizando estructuras tipo ISFET
• Sensores para la detección de gases basados en materiales catalizadores
• Sensores de campos magnéticos en µT utilizando estructuras tipo MAGFET
• Sensores de radiación fotónica utilizando celdas solares de estado sólido
• Sensores para la estimulación neuronal in-vivo utilizando microelectrodos y técnicas de micromaquinado

Materiales y Dispositivos Electrónicos

• Transistores de película delgada
• Fabricación de heterouniones con materiales nanoestructurados
• Cristales fotónicos
• Celdas solares
• Dispositivos optoelectrónicos
• Microlentes basados en grabado anisotrópico de materiales semiconductores
• Microbobinas integradas en silicio
• Dieléctricos de baja-k para interconexiones entre niveles de metal
• Materiales de compuerta tipo Metal/High-k para MOSFET’s sub-micrométricos avanzados
• Aleaciones de Ge con otros materiales para obtener altos coeficientes térmicos de resistividad
• Dieléctricos fuera de estequiometria para su aplicación en sensores de estado sólido
• Silisuros como metal de contacto en las uniones S/D de transistores sub-micrométricos

Adicionalmente, se tiene amplia experiencia en la física, modelado y caracterización de materiales y dispositivos semiconductores, en especial de transistores MOS de canal largo y sub-micrométricos, física y modelado de transistores a altas temperaturas, crioelectrónica, caracterización de materiales y dispositivos electrónicos en RF, caracterización electromagnética de transistores de hasta 28nm de longitud de canal, aplicación de herramientas de CAD para el diseño de experimentos de fabricación de dispositivos semiconductores, diseño electrónico de interfaces para sensores, física y caracterización de herramientas para la fabricación de dispositivos semiconductores (PECVD, LPCVD, Sputtering, E-beam, RIE, LOCOS, RTP, Ion-Implantation, Diffusion Furnaces, etc.), entre otros.

Informes y contacto

Dr. Alfonso Torres Jácome
atorres@inaoep.mx

Dr. Edmundo Gutiérrez Domínguez
edmundo@inaoep.mx

Dr. Joel Molina Reyes
jmolina@inaoep.mx