CURSO PROPEDEUTICO 2010: FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

PROFESOR: Dr. Joel Molina Reyes

Oficina: 2105

• Laboratorio Nacional de Nanoelectrónica

• Parte1-05-24 Introducción y temario
• Parte1-05-25 Propiedades de cristales y crecimiento de semiconductores 1
• Parte1-05-26 Propiedades de cristales y crecimiento de semiconductores 2
• Parte1-05-27 Propiedades de cristales y crecimiento de semiconductores 3

• Parte2-05-31 Átomos y electrones 1
• Parte2-06-02 Átomos y electrones 2
• Parte2-06-03 Átomos y electrones 3

• Parte3-06-07 Bandas de energía y portadores de carga en semiconductores 1
• Parte3-06-08 Bandas de energía y portadores de carga en semiconductores 2
• Parte3-06-09 Bandas de energía y portadores de carga en semiconductores 3

• Parte4-06-14 Exceso de portadores en semiconductores 1
• Parte4-06-16 Exceso de portadores en semiconductores 2

Muchas gracias a todas y todos por su interés en el INAOE y sus 4 áreas de investigación y les deseo mucho éxito en lo que resta del curso así como en sus vidas profesionales.

MiniCurso (LNN, 2010): Vacuum Systems and Cryogenics for Integrated Circuit Fabrication Technology.