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INAOE | Electrónica | Directorio | Investigadores | Javier de la Hidalga Wade
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Dr. Francisco Javier De la Hidalga Wade

 Correo: jhidalga@inaoep.mx 

Teléfono: +52 222 266 31 00 ext. 1414

Oficina: 1414

 


Información Curricular:

 

Doctorado obtenido en: Departamento de Electrónica, Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica, (INAOE). Tonantzintla, Pue., Mexico (September 1998).

Thesis: “Low Temperature Modeling and Simulation of Semiconductor Devices.”

 

Maestría en Ciencias obtenida en: Departamento de Electrónica, Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica, (INAOE). Tonantzintla, Pue., Mexico (February 1994).

Thesis: “Los Defectos Introducidos en el Silicio durante el Proceso, su Investigación y Reducción por Técnicas de Gettering.”

 

Licenciatura obtenida en: Facultad de Ciencias Físico-Matemáticas, Universidad Autónoma de Puebla. Puebla, Pue., Mexico (June 1992).

Thesis: “Circuito de Pruebas para la Optimización del Proceso de Fabricación de Circuitos Integrados ECMOS-INAOE.”


Líneas de Investigación:

  • Comportamiento de dispositivos semiconductores y circuitos operando a muy baja temperatura.

  • Caracterización y modelado de MOSFETs operando en el rango de 4.2-350 K.

  • Modelado de efectos termoeléctricos, refrigeradores de estado sólido, cosechadores de energía, sistemas electromecánicos de efecto Joule.

  • Desarrollo de tecnología MOS en base a silicio de alto índice cristalino.

  • Investigación de materiales para aplicaciones en detectores de radiación en diferentes longitudes de onda, especialmente en el rango óptico e infrarrojo.


Proyectos:

  • Project Chair of the CONACyT Project C01-39886: Desarrollo de una Tecnología CMOS en Silicio de Alto Indice Cristalino (Development of Novel MOSFETs Fabricated on non-(100) Silicon Crystalline Orientations), 2007. Joint project with StarMega Corp. and Dr. Don Kendall.

  • Institutional Projects: Development of a 0.8-m BiCMOS Process at INAOE, the installation of the National Laboratory for Nanoelectronics (LNN), and the Laboratory for Innovation in MEMS (LIMEMS) Technologies.

  • CONACyT-SEP Project C01-47141: Efectos Magneto-Cuánticos en Silicio y Silicio Germanio (Quantum-Magnetic Effects in Silicon and Silicon-Germanium); Project Chair Dr. Edmundo Gutiérrez, INAOE), Junio 2005-Junio 2008.

  • Secretaría de Salud, Imagenología del Cerebro usando Láseres de Terahertz (Brain Imaging using a Terahertz Laser); Project Chair Dr. Carlos Treviño, INAOE.

  • Collaboration with Prof. Jamal Deen in the development of a Micro- and Nano-Systems Laboratory, McMaster University.

  • CONACYT 102397: (Study of Monocrystalline Silicon as an Efficient Light Emitter) Estudio del Silicio Monocristalino como Emisor Eficiente de Luz, Project Chair Dr. O. Malik (2010-2012).


últimas Tesis dirigidas:

 

Master Thesis, Carlos Alfredo Pelcastre Ortega, Development of a novell test chip for the characterization of a 0.8 micron CMOS technology, in progress. INAOE, February 2018.

 

Ph. D. Thesis: Fernando Julián Quiñones Novelo, Estudio de las Propiedades Termomecánicas del Polisilicio para su Aplicación en Sensores Inteligentes (Study of the Thermomechanical Properties of Polysilicon for Application in Intelligent Sensors), INAOE, June 2014.

 

Master Thesis: Cristian Javier Herrera Rodríguez, Optoelectronic Properties of Tin Doped Indium Oxide Films Fabricated by DC Magnetron Sputtering with Post Annealing in Oxygen Atmosphere, INAOE, February 2014.

 

Engineering/Bachelor Thesis: Emmanuel González Berlín, Electron Mobility in High Index Silicon Inversion Layers (Movilidad de los Electrones en Capas de Inversión Fabricadas en Silicio de Alto Índice Cristalino), December 2009.

 

Ph. D. Thesis: Ramiro Rogelio Rodríguez Mora, Properties of the Thermally Grown Oxide and its Interface with High Index Silicon, March 13, 2009.

 

Ph. D. Thesis: Miguel Castro Licona, Implantación y Difusión de Impurezas en Silicio de Alto Índice Cristalino (Implantation and Diffusion of Impurities in High Index Silicon), 25 de Abril de 2008.

 

Ph. D. Thesis: Abimael Jiménez Pérez, Modelado y Simulación del MOSFET de Umbral Dinámico, (Modeling and Simulation of the Dynamic Threshold MOSFET), 22 de febrero de 2008.

 

Publicaciones Recientes:

  • O. Malik, F. J. De la Hidalga-W, Silicon Narrow-Band Solar-Blind Ultraviolet Detector Based on Ag-SiO2-Si Capacitor, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 6 (8) Q77-Q78, 2162-8769/2017/6(8)/Q77/2/© The Electrochemical Society. [DOI: 10.1149/2.0081708jss], (2017).

  • O. Malik, F.J. De la Hidalga-W, Anomalous Shift of the Capacitance-Voltage Characteristics Obtained for p-MOS Capacitors with a Tin-doped Indium Oxide Gate, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 5 (7), 377-379, [DOI: 10.1149/2.0011607jss], (2016).

  • O. Malik, F.J. De la Hidalga-W, Physical Aspects of Negative Oxide Charge in p-MOS Capacitors with Annealed ITO Gates, International Journal of Engineering and Applied Sciences, ISSN:2394-3661, Vol. 3, Issue-4, April, (2016).

  • O. Malik, F.J. De la Hidalga-W, Comparison of tin-doped indium oxide films fabricated by spray pyrolysis and magnetron sputtering, Cryst. Res. Technol. 50, No. 7, 516–521 (2015) / DOI 10.1002/crat. 201400464.

  • O. Malik, F.J. De la Hidalga-W, Optoelectronic Properties Of Tin Doped Indium Oxide Films Fabricated by DC Magnetron Sputtering in Pure Argon with Post Annealing in Oxygen Atmosphere, J. Mater. Res., Vol. 30, No. 12, Jun 28, pp. 1894-1902, 2015.

  • O. Malik, F.J. De la Hidalga-W, and R. Ramírez-A, Fluorine-Doped Tin Oxide Films with a High Figure of Merit Fabricated by Spray Pyrolysis, J. Mater. Res., Vol. 30, No. 13, Jul 14, pp. 2040-2045, 2015.

  • J. Molina, F.J. De la Hidalga-W, and E. Gutiérrez, Reduction in the interface-states density of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors fabricated on high-index Si (114) surfaces by using an external magnetic field, Journal of Applied Physics 116, 064510 (2014); doi: 10.1063/1.4892891.

  • F.J. Quiñones-N, F.J. De la Hidalga-W, M. Moreno, J. Molina, C. Zúñiga, W. Calleja, Mechanical characterization of polysilicon cantilevers using a thermo-mechanical test chip fabricated with a combined bulk/surface micromachining technique, Elsevier, Results in Physics 4 (2014) 119–120.


Última modificación :
18-04-2018 a las 11:07 por Laura Toxqui Olmos

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