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INAOE | Electrónica | Directorio | Investigadores | Pedro Rosales Quintero
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Dr. Pedro Rosales Quintero

Correo Electrónico: prosales@inaoep.mx

Teléfono: +52 222 266 31 00 ext. 1411

Oficina: 1411

 

 

 

Información Curricular:

Doctorado obtenido en: INAOE
Título de Tesis: "Transistor Bipolar de Heterounión con Emisor Amorfo Compatible con la Tecnología CMOS"

Maestría en Ciencias obtenido en: INAOE
Título de Tesis: "Fabricación de Sensores de Radiación de Alta Energía"

Licenciatura en Electrónica en: BUAP

Título de Tesis: "Efectos del Proceso de Fabricación en la Corriente de Fuga de Diodos PIN de Silicio"

 

 Líneas de Investigación:  

  • Física, Fabricación, Caracterización y Modelado de Dispositivos Semiconductores de Silicio.

  • Crecimiento, y caracterización de Materiales Semiconductores Amorfos, Polimorfos y Nanoestructurados de Silicio, Germanio y Carbón y su aplicación a Transistores de Película Delgada (TFTs) y Celdas Solares.

  • Difusión de Boro y Fósforo en Silicio.

  • Desarrollo de los Procesos de Fabricación de Tecnología BiCMOS.

 

Tesis Dirigidas:

Desarrollo e Investigación de un Proceso de Fabricación de Celdas Solares Basadas en la Tecnología C-Si, José de Jesús Martínez Basilio, 24 de febrero 2017; codirigida con Mario Moreno Moreno.

 

Diseño de una Referencia de Voltaje de Ancho de Banda Prohibida en Tecnología MOS Complementaria, Javier Alejandro Martínez Nieto, febrero 27 2013, codirigida con M. Teresa Sanz Pascual.

 

Development of Low-temperature Ambipolar a-SiGe:H Thin-film Transistors Technology, Miguel Angel Jimenéz Domínguez, Marzo 23 del 2012; codirigida con Alfonso Torres Jácome.

 

Publicaciones Recientes:

  • Vivaldo, M. Moreno, A. Torres, R. Ambrosio, P. Rosales, N. Carlos, W. Calleja, K. Monfil, A. Benítez,A comparative study of amorphous silicon carbide and silicon rich oxide for light emission applications” Journal of Luminesce, Vol 190, 2017, pp. 21-220. ISSN: 0022-2313, DOI: 10.1016/j.jlumin.2017.05.048

  • Miguel A. Dominguez, Jose Luis Paub, Mayte Gómez-Castaño, Jose A. Luna-Lopez, Pedro Rosales High mobility thin film transistors based on zinc nitride deposited at room temperature” Thin Solid Films, Volume 61, 2016, Pages 260-263 ISSN: 0040-6090. DOI: 10.1016/j.tsf.2016.10.053.

  • M.A. Domínguez, P. Rosales, A. Torres, F. Flores, J.A. Luna, S. Alcantara, and M. Moreno, "Impact of planarized gate electrode in bottom-gate thin-film transistors", Revista Mexicana de Física 62 (2016) 223–228 ISSN 0035-001X.

  • Miguel Dominguez, Pedro Rosales, Alfonso Torres, Francisco Flores, Joel Molina, Mario Moreno, Jose Luna, Abdu Orduña, “Planarized Ambipolar a-SiGe:H Thin-Film Transistors: Influence of the Sequence of Fabrication Process” Solid-State Electronics, Volume 99, September (2014), Pages 45-55 ISSN: 0038-1101 DOI: 10.1016/j.sse.2014.06.024

Capítulos de libros

  • Miguel Domínguez, Pedro Rosales, Alfonso Torres, J.A Luna-Lopez, Francisco Flores, and, Mario Moreno " Metal-Semiconductor Interfaces in Thin-Film Transistors ", In Book Different Types of Field-Effect Transistors - Theory and Applications, Ed. Intech, pp. 103-121, 2017.

  • Mario Moreno, Roberto Ambrosio, Alfonso Torres, Pedro Rosales, Adrián Itzmoyotl and Miguel Domínguez, "Amorphous, Polymorphous, and Microcrystalline Silicon Thin Films Deposited by Plasma at Low Temperatures", In Book Crystalline and noncrystalline semiconductors, Ed. Intech, pp. 147-171, 2016.

       

 


Última modificación :
18-04-2018 a las 10:46 por Laura Toxqui Olmos

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