Electrónica

PolyMEMS–INAOE

El proceso PolyMEMS–INAOE se ha desarrollado para la fabricación de micro-estructuras usando Si policristalino (poly-Si) como material estructural. Una breve descripción del mismo es la siguiente: El proceso completo utiliza cinco materiales y nueve niveles de mascarillas; obleas de silicio cristalino con orientación (100) como soporte mecánico; dos niveles de materiales estructurales de poly-Si, uno fijo al sustrato utilizado como electrodo, y un nivel suspendido para la fabricación de monitores mecánicos, sensores y actuadores principalmente; se utiliza vidrio de fosfosilicato (PSG) como material de sacrificio (o soporte mecánico temporal), aluminio (Al) como material de interconexión eléctrica, y dióxido (SiO2) y nitruro (Si3N4) de silicio como aislantes eléctricos y para incrementar la selectividad. La siguiente tabla muestra los materiales utilizados en el proceso de fabricación PolyMEMS-INAOE:

Entre los parámetros mecánicos de películas de silicio policristalino obtenidos mediante este proceso se pueden mencionar: i) esfuerzos residuales intrínsecos < ±20MPa, y ii) gradientes de esfuerzos residuales < ±10MPa/µm, los cuales se encuentran dentro del rango establecido en el estado del arte. Por otro lado se ha controlado la rugosidad de las películas de poly-Si para una mejor definición de estructuras con dimensiones menores a 5 µm.

Rugosidad obtenida con el proceso PolyMEMS–INAOE.

Microestructuras suspendidas obtenidas en este proceso.

Informes y contacto:

Dr. Wilfrido Calleja Arriaga
wcalleja@inaoep.mx