INAOE

Diseño y fabricación de sensores y dispositivos electrónicos

El INAOE cuenta con más de 30 años de experiencia en el diseño, fabricación, caracterización y optimización de dispositivos electrónicos y sensores para aplicaciones específicas, todos ellos basados en materiales compatibles a un proceso CMOS. Con los Laboratorios LIMEMS y Microelectrónica, se han generado recursos humanos capaces de realizar investigación de frontera en materiales electrónicos a nivel micro y nanoescala, así como desarrollar soluciones tecnológicas que involucran áreas multidisciplinarias como astrofísica, óptica, medicina, robótica, CAD, química, dispositivos cuánticos, etc. La infraestructura del LIMEMS permite desarrollar una tecnología de fabricación de sensores y dispositivos electrónicos a escalas nanométricas de manera progresiva, con la ventaja inherente de tener mayores densidades de integración, mayor capacidad de procesamiento, almacenamiento y velocidades de respuesta, menor consumo de potencia, y principalmente, mayor capacidad de controlar las propiedades físicas, químicas y electrónicas de los materiales cuando se manipulan escalas nanométricas. Algunos de los desarrollos principales del Laboratorio de Microelectrónica y LIMEMS son:

Transistores de película delgada.
Celdas solares.
Dispositivos optoelectrónicos.
Microlentes basados en grabado anisotrópico de materiales semiconductores.
Microbobinas integradas en silicio.
Emisores y detectores de radiación IR con materiales nanoestructurados y microbolómetros.
Emisores y detectores de radiación visible con materiales dieléctricos y capacitores.
Emisores y detectores de radiación UV (hasta 200 nm) con tecnología basada en silicio.
Sensores de presión y de aceleración basados en estructuras MEMS.
Sensores de flujo de masa utilizando estructuras resistivas tipo Kelvin basadas en platino.
Sensores de radiación térmica utilizando estructuras de transistor basadas en silicio.
Sensores químicos de estado sólido utilizando estructuras tipo ISFET.
Sensores para la detección de gases basados en materiales catalizadores.
Sensores de campos magnéticos en µT utilizando estructuras tipo MAGFET.
Sensores de radiación fotónica utilizando celdas solares de estado sólido.
Sensores para estimulación neuronal in-vivo usando microelectrodos y micromaquinado.
Sensores para la detección de bacterias.
Transistores de barrera Schottky con baja pendiente de subumbral (SS < 100 mV/dec).
Estructuras cuánticas resonantes basadas en películas dieléctricas ultra-delgadas.
Memorias resistivas ReRAM con bajo procesamiento térmico.
Memorias ferroeléctricas FeRAM con bajo procesamiento térmico.
Desarrollo de qubits superconductores basados en uniones de Josephson y CPW.