Periodo Año:

   
2019-08-27
Area:
Investigador Invitado
Filiación Institucional
Resumen: Ver resumen
   
Lugar-Hora Auditorio Docente - 12:00
   
2019-09-03 Energy consumption, conversion, and transfer in nanometric Field-Effect-Transistors (FET) used in readout electronics at cryogenic temperatures
Area:
Investigador Invitado
Filiación Institucional Dr Daniel Durini Romero
Resumen: Ver resumen For integrated FET based circuitry in close proximity to the front-end detectors or semiconductor or superconducting qubit generating hardware held at cryogenic temperatures, any transfer of heat produced in the FET circuitry alters the performance conditions of the system and results in noise and spurious signals. Therefore, it is of great interest to analyze and experimentally characterize the processes of heat generation at the transistor level, the heat transport mechanisms from the intrinsic active region of the transistor to the interconnection metal lines, the substrate, and finally the entire circuit itself.

We introduce the analysis and experimental results of the energy consumption, the energy transfer mechanisms, and the process of conversion of electrical energy into heat. The different heat transfer mechanisms that consider the contributions of phonons and electrons, respectively, are modeled as a function of the FET technology parameters including gate oxide thickness, bulk and source/drain doping, and the device geometry and structure. This model serves the purpose of calculating the intrinsic device temperature, the amount of self-heating, and the coupled electro-thermal transport effects at sub-Kelvin temperatures.

We prove that as the temperature is reduced down to the sub-Kelvin regime, more than 70% of the heat in the transistor is transferred by electrons rather than phonons, and that such a heat transfer is a function of the gate oxide thickness, as well as the bulk and source/drain doping levels. The characterization and modeling of the thermal behavior and its coupling to the electrical performance is crucial in determining the electrical-thermal cross coupling. FETs fabricated in 65nm and 14nm CMOS technologies are characterized from room temperature down to 250 mK.
   
Lugar-Hora Auditorio Docente - 12:00
   
2019-09-10
Area:
Investigador Invitado
Filiación Institucional
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Lugar-Hora Auditorio Docente - 12:00
   
2019-09-17 Scalable cryogenic control electronics for a spin based quantum computer
Area:
Investigador Invitado Prof. Dr. Stefan van Waasen
Filiación Institucional Dr Daniel Durini Romero
Resumen: Ver resumen The major challenges for universal quantum computing beside the scalable technology for quits itself is how to get a feasible scalable overall scheme for the quantum computer. The presentation will show some examples on a principal approach for this on scalable cryogenic control electronics for a spin based quantum computer.
   
Lugar-Hora Auditorio Docente - 12:00
   
2019-10-01 Estudio de nanoestructuras de TiO2 como elementos fotoactivos en el tratamiento de agua residual
Area:
Investigador Invitado
Filiación Institucional Dr Joel Molina Reyes
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Lugar-Hora - 12:00
   
2019-10-15
Area:
Investigador Invitado
Filiación Institucional Dr Daniel Durini Romero
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Lugar-Hora Auditorio Docente - 12:00

 

Coloquio de inducción de líneas de investigación de Electrónica

Durante el primer periodo de Maestría se lleva a cabo un coloquio de inducción a líneas de investigación de Electrónica, con presentaciones por parte de los investigadores de la Coordinación. De esta manera, el estudiante está preparado para elegir su línea de especialización (LGAC) al finalizar el cuatrimestre.

 

Calendario 2019

 

 

Seminario de Electrónica

El objetivo del Seminario es exponer a los estudiantes de Maestría y Doctorado a todas las áreas de investigación que se cultivan en la Coordinación de Electrónica, enriqueciendo así sus conocimientos, además de ofrecer un foro de discusión y crítica en el que pueden presentar públicamente sus avances de tesis. Este Seminario se lleva a cabo los martes a las 12:00, y es obligatoria la asistencia de todos los estudiantes del Posgrado en Electrónica.

 

Se invita atentamente a toda la comunidad del INAOE al Seminario  de la Coordinación de Electrónica, que se llevará a cabo el martes 15 de octubre a las 12:00 horas en el Auditorio Docente. A continuación los detalles:


Título del seminario: "Diseño de un sistema de adquisición de datos para un novedoso Telescopio Atmosférico de Cherenkov basado en fotomultiplicadores de silicio (SiPM) "

Ponente:

M.C. Sergio Alejandro Rosales Núñez

Resumen

El estudio de rayos gamma de altas energías (TeV a PeV) es muy importante hoy en día debido a que aún no se conoce exactamente cómo se originan. Se propondrá un novedoso telescopio atmosférico de Cherenkov basado en fotomultiplicadores de silicio (SiPM) y con un sistema de adquisición de datos capaz de obtener información a gran velocidad con el menor ruido posible. Se tendrá un monitoreo constante de la temperatura debido a que es una de las principales fuentes de ruido para los sensores basados en silicio. En este trabajo se propone un sistema de adquisición de datos que sea fácil de manipular y que se pueda adaptar fácilmente a diferentes enfoques donde se utilice como detector principal el SiPM.

NOTA: La asistencia para las y los estudiantes de Electrónica es obligatoria.

 

 

Seminario de Electrónica y Diseño Avanzado

 

Éste es un evento anual con duración de 3 días organizado por la Coordinación de Electrónica, con el apoyo de los siguientes capítulos IEEE: Circuitos y Sistemas, Dispositivos Electrónicos, Instrumentación y Mediciones, y Comunicaciones. El programa del Seminario se compone de conferencias impartidas por invitados consolidados en su área de trabajo, provenientes de instituciones reconocidas internacionalmente, así como por Conferencistas Distinguidos de las sociedades de IEEE mencionadas.

Seminario de Electrónica y Diseño Avanzado 2019

 

 


Última modificación :
11-10-2019 a las 13:52 por Laura Toxqui Olmos

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